原子層沉積(ALD)是一種薄膜生長(zhǎng)技術(shù)，能夠?yàn)殡娮悠骷?電源和射頻)沉積無(wú)針孔和均勻的絕緣體薄膜。ALD在高長(zhǎng)寬比溝槽和通孔結(jié)構(gòu)上提供了優(yōu)異的保形性，在角級(jí)的厚度控制，以及基于連續(xù)、自限性反應(yīng)的可調(diào)整薄膜成分。Samco提供高度靈活的開(kāi)放式熱ALD系統(tǒng)AL-1和負(fù)載鎖定等離子體增強(qiáng)ALD系統(tǒng)AD-230LP。

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  等離子體強(qiáng)化的ALD設(shè)備 AD-230LP

  **的重復(fù)性和穩(wěn)定性
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  熱ALD設(shè)備 AL-1

  無(wú)針孔薄膜沉積
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等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)是通過(guò)將活性氣體變成等離子體狀態(tài)，在目標(biāo)基材上產(chǎn)生活性自由基和離子，使目標(biāo)基材發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而形成薄膜的技術(shù)。在化合物半導(dǎo)體和硅半導(dǎo)體的制造過(guò)程中，用于沉積作為鈍化膜的氮化硅薄膜（SiN）和作為層間絕緣膜的氧化硅薄膜（SiO?）。

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  等離子體增強(qiáng)型CVD設(shè)備 PD-2201LC

  節(jié)省空間的生產(chǎn)設(shè)備
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  等離子體增強(qiáng)型CVD設(shè)備 PD-220NL

  緊湊的研發(fā)用負(fù)載鎖定系統(tǒng)
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  等離子體增強(qiáng)型CVD設(shè)備 PD-3800L

  基于托盤(pán)的批量處理
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  等離子體增強(qiáng)型CVD設(shè)備 PD-220N

  緊湊的機(jī)身，節(jié)省空間的設(shè)計(jì)

Samco獨(dú)特的液態(tài)源CVD?系統(tǒng)使用自偏置沉積技術(shù)和液態(tài)TEOS源來(lái)沉積低應(yīng)力的SiO2薄膜，從薄膜到極厚的薄膜（高達(dá)100 μm）。

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  液體原料CVD設(shè)備 PD-200STL

  負(fù)載鎖定系統(tǒng)，*高可達(dá)200毫米

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  液體原料CVD設(shè)備 PD-270STLC

  低溫厚膜沉積生產(chǎn)設(shè)備

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  液體原料CVD設(shè)備 PD-330STC

  沉積物高達(dá)?300 mm
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  液體原料CVD設(shè)備 PD-100ST

  開(kāi)放式研發(fā)設(shè)備