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產品名稱：日本DNK科研曝光機MX-1201E光刻機
產品型號： MX-1201E
產品廠商：DNK 科研
產品價格：0
折扣價格：0
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簡單介紹：

主要特長能夠用于研究開發、試作、小批量生產等的直描曝光。能夠對應半導體、電子零件、優異PCB、高密度封裝件、MEMS、FPD等的曝光。由于在光刻工藝中不需要掩膜，因而可以*大限度地降低開發成本和縮短市場供應時間。此外,還可以根據客戶需求,提供相應的裝置構造。

詳情介紹：

光刻機介紹

曝光裝置 MA-1200 基板追大尺寸 200 x 200mm ?4″ ～ ?6″

光源超高壓水銀燈：500W or 1kW

曝光裝置 MA-1400 基板追大尺寸400 x 400mm

光源超高壓水銀燈：2kW or 3.5kW

LED,LN曝光裝置MA-4000 圓晶尺寸?2～4″或者?4～6″

光源超高壓汞燈：500W 或 1kW

?200mm/?150 mm 對應曝光裝置MA-4301M 材料SI 玻璃， 對齊精度自動對齊：+/- 1 μm（
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?300mm對應曝光裝置MA-5301ML 光源超高壓汞燈：3.5kW ?200mm規格也可對應

マスクレス露光裝置MX-1201 曝光掃描速度43.94mm/s 有效曝光區域200 x 200 追大曝光量（※3）245/70/245+70
マスクレス露光裝置MX-1201E 曝光掃描速度22.5mm/s 有效曝光區域200 x 200 追大曝光量（※3）460/70135

マスクレス露光裝置MX-1205 曝光掃描速度9/4.5mm/s 有效曝光區域100 x 100 追大曝光量（※3）100/50

主要規格

型式		MX-1201			MX-1201E		MX-1205
*小線幅 (※1)	[μm]	5			3		2	1
數據分辨率	[μm]	0.488			0.25		0.1	0.05
*大基板尺寸	[mm]	200 x 200			200 x 200		100 x 100
有效曝光范圍	[mm]	200 x 200			200 x 200		100 x 100
激光主波長	[nm]	405	375	405 + 375	405	375	375
曝光掃描速度	[mm/s]	43.94			22.5		9	4.5
節拍時間	[s,min]	180 [s]			320 [s]		16 [min]	27 [min]
*大曝光量	[mJ/c㎡]	245	70	245 + 70	460	135	50	100

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蘇公網安備 32050502000409號

產品名稱：日本DNK科研曝光機MX-1201E光刻機

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