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產品名稱：日本DNK科研曝光機MEMS用光刻機
產品型號： MEMS用
產品廠商：DNK 科研
產品價格：0
折扣價格：0
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簡單介紹：

主要特長采用獨自的鏡面?鏡頭光學系統,實現**均勻的照射。配備有可設定非接觸?面內均一間隙的間隙傳感器和對應多層曝光的顯微鏡、X?Y?θ軸對位臺的對位系統。采用Moving UV mask法(使用Piezo Positioning Stage,使掩膜在曝光中微細移動)能夠控制厚膜光刻膠的側壁傾斜角度,形成三維微細構造體。

詳情介紹：

光刻機介紹

曝光裝置 MA-1200 基板追大尺寸 200 x 200mm ?4″ ～ ?6″

光源超高壓水銀燈：500W or 1kW

曝光裝置 MA-1400 基板追大尺寸400 x 400mm

光源超高壓水銀燈：2kW or 3.5kW

LED,LN曝光裝置MA-4000 圓晶尺寸?2～4″或者?4～6″

光源超高壓汞燈：500W 或 1kW

?200mm/?150 mm 對應曝光裝置MA-4301M 材料SI 玻璃， 對齊精度自動對齊：+/- 1 μm（
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?300mm對應曝光裝置MA-5301ML 光源超高壓汞燈：3.5kW ?200mm規格也可對應

マスクレス露光裝置MX-1201 曝光掃描速度43.94mm/s 有效曝光區域200 x 200 追大曝光量（※3）245/70/245+70
マスクレス露光裝置MX-1201E 曝光掃描速度22.5mm/s 有效曝光區域200 x 200 追大曝光量（※3）460/70135

マスクレス露光裝置MX-1205 曝光掃描速度9/4.5mm/s 有效曝光區域100 x 100 追大曝光量（※3）100/50

主要規格

		MUM系列
掩膜尺寸		Max 9″ x 9″ x t3.0 mm
基板尺寸		Max Φ8″(Wafer)
光源		超高壓水銀燈：500W or 1kW
外觀尺寸及重量	本體尺寸	W2120 x D1305 x H1850 mm
外觀尺寸及重量	本體重量	640kg

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蘇公網安備 32050502000409號

產品名稱：日本DNK科研曝光機MEMS用光刻機

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