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產品詳情
簡單介紹：
在廣泛的膜質量控制
SiN沉積中，應力控制范圍從800MPa到壓縮200MPa不等。 此外，通過改變氣體流速比，還可以控制折射率。
詳情介紹：
概述
PD-2201LC 是一種用于生產大氣盒式等離子體的等離子 CVD 設備，用于形成各種硅基薄膜（SiO+、SiN 等）。 從托盤輸送同時沉積多個小直徑晶圓，到通過單片晶圓處理實現高均勻的沉積，我們可根據客戶要求提供廣泛的支持。 此外，晶圓單片處理可以更改為真空盒室，無需打開盒式室即可連續處理。
特點
在廣泛的膜質量控制
SiN沉積中，應力控制范圍從800MPa到壓縮200MPa不等。 此外，通過改變氣體流速比，還可以控制折射率。
緊湊的節省空間的設備
電氣系統被組裝在與設備不同的包裝盒中，使設備本身更纖薄。 （安裝面積：590mm（W） × 2170mm（D））
因此，您可以靈活地安裝它，以適應您的空間。
通過托盤同時形成多個晶圓輸送
小直徑晶圓是可能的。 （φ2“×9張、φ3”×5張、φ4“×3張）
此外，通過更改托盤，可以輕松更改晶圓尺寸。
應用示例
可以形成
氮化硅膜、氧化硅膜和非晶硅膜，形成各種硅基薄膜。
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