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加熱器
產品詳情
簡單介紹：
● 低溫 （150~300°C） 處理
● 形成
高品質的SiO2膜 低應力 、 無等離子體損傷 、
小顆粒
? 降低
導入和維護成本 小占地面積 、 無需
真空 · 等離子體處理 ● 價格低廉
氣相沉積設備
詳情介紹：
特點
4.5 代玻璃基板沉積設備，支持剛性和柔性設備，如 FPD。
搭載了2臺成膜有效寬度760mm的氣頭，采用吸附式加熱臺，
實現了溫度控制性±3%以內。
4.5 代玻璃基板可在 250°C 下以 25 片/小時或更高的吞吐量沉積 100nm SiO2 膜，
確保薄膜厚度均勻性在 10% 以內。
性能
| 薄膜厚度均勻性 | ±10% | |||||||||||||||||
| 支持的晶圓尺寸 | 4.5 代 | |||||||||||||||||
| 氣體種類 | SiH4, O3, PH3, B2H6 | |||||||||||||||||
| 沉積溫度 | 150～300℃ | |||||||||||||||||
主要規格
| 設備尺寸 | 1300mm(W) x 7350mm(D) x 2000mm(H) | |||||||||||||||||
| 氣頭 | 搭載2個成膜有效寬度760mm氣頭 | |||||||||||||||||
常州代理AMAYA天谷制作所玻璃基板成膜裝置
昆山代理AMAYA天谷制作所玻璃基板成膜裝置
武漢代理AMAYA天谷制作所玻璃基板成膜裝置
南京代理AMAYA天谷制作所玻璃基板成膜裝置
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